【時報-台北電】嵌入式非揮發性記憶體矽智財(eNVM IP)供應商力旺(3529)投入新興非揮發性記憶體技術研發有成,第三季正式推出可變電阻式記憶體(ReRAM)矽智財,已獲新唐日本子公司NTCJ採用及通過聯電40奈米認證,未來將延續製程至22奈米世代,將可解決傳統嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程在40奈米以下節點成本大幅增加及可靠度急衰下降的難題。

 5G通訊全面商用已帶動物聯網應用進入成長爆發階段,包括微控制器(MCU)及特殊應用晶片(ASIC)等系統核心運算晶片,也開始大量採用40奈米及更先進製程量產。然而關鍵的eFlash技術主要基於電荷密度設計,製程微縮造成因耐久性及可靠度的嚴重衰退,導致將eFlash技術添加到邏輯製程的成本開始大幅增加。

 雖然業界現階段採用記憶體控制器來解決傳統eFlash技術在40奈米以下製程節點的成本過高或可靠度大減等問題,包括加入糾錯碼(ECC)及數位訊號處理演算法等,但在針對物聯網環境打造的新一代MCU或ASIC的設計上,已開始採用ReRAM或磁阻式記憶體(MRAM)技術。

 力旺看好嵌入式ReRAM及MRAM的強勁爆發力,近年來與晶圓代工廠擴大合作投入研發,近期終於獲得重大突破,第三季正式推出首款採用氧空缺記憶體(OxRAM)技術的ReRAM IP,已獲新唐日本NTCJ採用在安全應用新款MCU當中,同時通過聯電40奈米認證。

 力旺嵌入式ReRAM IP採用製程將持續延續至22奈米,並將與新唐日本NTCJ展開新一代OxRAM技術的嵌入式ReRAM IP合作,未來量產後將共同進軍智慧卡市場。

 再者,力旺在嵌入式MRAM IP研發進展順利,近期可望完成22奈米製程的認證。未來隨著晶圓代工廠將現有eFlash製程升級到嵌入式ReRAM或MRAM技術世代,力旺營運將再添強勁成長動能。

 力旺受惠於電源管理IC、面板驅動IC、車用晶片等出貨暢旺,帶動IP授權金及權利金同步成長,上半年合併營收11.38億元,歸屬母公司稅後淨利5.37億元,同創歷史新高,每股淨利7.20元優於預期。法人看好力旺下半年營運優於上半年,全年獲利可望賺進1.5個股本。

 力旺公告7月合併營收年增20.9%達3.72億元,前七個月合併營收15.11億元,較去年同期成長31.7%。力旺的權利金收入主要是以晶圓代工價格為計算基礎,隨著台積電計畫明年全面漲價,以及聯電、力積電等業者持續調漲價格,力旺將直接受惠。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/台北報導)