【時報-台北電】記憶體市場供不應求,DRAM及NAND Flash第二季合約價出現明顯漲勢,其中,4月標準型DRAM合約價大漲逾25%,利基型DRAM合約價續漲13~21%,至於SLC NAND及MLC NAND合約價亦止跌回升5~10%幅度。

 法人看好南亞科、華邦電第二季營收及獲利大躍進,但因近期現貨價漲勢停歇,與合約價的溢價差明顯縮小,模組廠第二季獲利成長動能趨緩。

 根據集邦統計及模組廠消息,4月DRAM及NAND Flash合約價呈現全面上漲走勢。其中,標準型DRAM受惠於新冠肺炎疫情持續推動筆電出貨動能,主流規模8GB DDR4模組合約均價由3月的26.0美元大漲至4月的32.4美元,8Gb DDR4顆粒合約均價由3.0美元大漲至3.8美元,單月漲幅高達25~27%。

 同樣在宅經濟及伺服器換機需求帶動下,4Gb DDR4/DDR3等利基型DRAM顆粒4月合約均價較上月大漲13%,缺貨嚴重的2Gb DDR3顆粒合約均價漲幅高達21%,伺服器DRAM合約均價也有約20%漲幅。在NAND Flash部分,受惠於物聯網、工控及安控等應用明顯增溫,4月SLC NAND合約均價普遍上漲5%,MLC NAND合約均價則上漲近10%。

 包括三星、SK海力士、美光等三大記憶體廠近期召開法說會中,不約而同看好今年DRAM市場,由於數位轉型帶動5G智慧型手機、筆電及平板的強勁銷售動能,加上伺服器升級至英特爾Ice Lake及超微EPYC 3的強勁需求湧現,業者看好今年DRAM全年供不應求,合約價將逐季漲價到年底。

 集邦先前預估第二季標準型DRAM合約價漲幅將大幅上修至23~28%,伺服器DRAM上修至20~25%,由此來看,5月及6月的DRAM合約價仍有續漲空間。至於下半年進入旺季,在供不應求情況下,預期第三季合約價將續漲10~20%。

 法人預期在DRAM價格逐季上漲推升下,擁有DRAM晶圓產能的南亞科及華邦電直接受惠。但因現貨價3月中旬以來價格停滯,合約價調漲後的溢價差已明顯縮小,對於以合約價買進DRAM貨源但以現貨價出貨模組的模組廠來說,第二季獲利成長動能恐趨緩。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)