【時報-台北電】韓國半導體大廠三星電子2021年投資動向備受業界矚目,據外電消息,三星在2021年的資本支出將著重於NAND Flash及晶圓代工的技術升級及產能擴充,包括176層3D NAND的第七代V-NAND產品線進入量產,以及擴建極紫外光(EUV)產能以因應5奈米及3奈米晶圓代工強勁需求。至於DRAM產能建置在2020年已經完成,2021年投資金額及擴產規模相對保守。

 三星2021年記憶體投資將以NAND Flash為主體,主要策略點是為了拉開與競爭對手鎧俠、美光、SK海力士等技術及產能差距。三星雖然領先同業發布176層3D NAND技術,但美光及SK海力士在2020年底已宣布在176層3D NAND技術取得突破,所以三星面臨對手後來居上的壓力。

 再者,第二大廠鎧俠(Kioxia)與合作夥伴威騰(WD)持續擴建NAND Flash新廠,包括在日本岩手縣北上市新廠K1已開始小量生產,K2廠已計畫在2021年上半年動工,預計2022年上半年開始生產,至於位於日本三重縣四日市生產基地的Fab 7第一期將於2022年上半年完工。

 對三星而言,對手積極擴產及技術升級加速,加上SK海力士將收購英特爾NAND Flash事業,所以2021年勢必要更積極加碼在NAND Flash投資。三星的中國西安廠二期第一階段已量產,第二階段在2021年下半年完工,韓國平澤P2廠的NAND Flash新產能預計2021年下半年量產。

 三星晶圓代工的韓國華城廠已在2020年量產採用EUV技術的5奈米製程,平澤廠也擴大5奈米產能因應強勁晶圓代工需求。雖然三星要在產能規模追趕上台積電仍有很大的難度,但三星2021年將投下鉅資擴建EUV產能及加速3奈米製程研發,希望2022年3奈米可投入量產。

 不過,隨著近期DRAM市況明顯好轉,且業界對2021年第一季價格止跌上漲已有共識,但三星2021年在DRAM事業的資本支出卻趨於保守,業界分析除了計畫擴增的產能在2020年已完成建置,亦希望維持DRAM市場供需平衡,可為三星帶來穩健的營收及獲利。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/台北報導)