【時報-台北電】二極體廠強茂(2481)持續拓展資料中心、電動車等高階市場,傳出已經開始擴大布局碳化矽(SiC)等第三代材料半導體市場,並已經在2020年第二季開始送樣SiC二極體,第四季更將送樣給客戶更加高階的遮罩閘溝槽式(Shield Gate Trench)MOSFET產品,營運效益將有望在2021年開始發酵。

電動車發展迅速,目前除車內電子設備增加需要大量二極體及MOSFET外,應用在電動車充電線材及電動樁等更是大量增加,由於SiC具備高耐壓及低抗阻等特性,可讓電源轉換效率更佳,換句話說充電速率將會更加迅速。

強茂近年來不斷向高階市場發展,市場傳出,強茂正大力拓展SiC等第三代材料材半導體市場,且成功開發出SiC二極體並在第二季進入送樣程序,第四季將會送樣60-150V的Shield Gate Trench MOSFET,預期最快有機會在2021年開始量產出貨。

法人指出,SiC二極體除未來將會被大量應用在電動車市場之外,資料中心、工控等高階市場亦可望成為採用SiC的主要領域,隨著SiC市場未來將可望成為未來新星,強茂將有望藉此搶攻大量商機。

據了解,強茂除掌握第三代材料半導體技術SiC外,同時也開始全力搶攻650-1200V的絕緣柵雙極電晶體(IGBT)產品,目標同樣是瞄準高階工控市場。法人指出,強茂目前在2021年規劃15億元的資本支出搶攻高階市場,將有助於整體毛利率向上成長。

(新聞來源:工商時報─記者蘇嘉維/台北報導)。