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《半導體》力晶報佳音,獲核發2專利

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力晶(5346)CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法,取得經濟部智慧財產局核發TW I645554專利。

力晶說明,一種CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法,所述深溝渠隔離結構包括位於基底中的光感測區之間的多個隔離結構,且每個隔離結構包括第一溝渠隔離結構和第二溝渠隔離結構。第一溝渠隔離結構形成於基底的第一表面內,其中第一溝渠隔離結構包括第一填充層與包覆第一填充層表面的第一介電襯層。第二溝渠隔離結構形成於基底中相對於第一表面的第二表面內,且第二溝渠隔離結構包括第二填充層與包覆第二填充層表面的第二介電襯層,其中第二介電襯層的底面與第一介電襯層的底面直接接觸。

此外,相移式光罩及其製作方法,也取得經濟部智慧財產局核發TW I639884專利。說發明提供一種相移式光罩,用於在曝光製程中轉移一佈局圖。相移式光罩包括一基板與一圖案化相移層。圖案化相移層設置於基板上並具有至少一元件圖案開口與複數個虛設圖案開口,元件圖案開口與虛設圖案開口暴露出基板表面,且虛設圖案開口環設於元件圖案開口的周圍。圖案化相移層具有一預定厚度,使得曝光製程中通過圖案化相移層之曝光光束與通過元件圖案開口或者虛設圖案開口之曝光光束相位差為180度,並且圖案化相移層的光線穿透率為100%。(編輯整理:張嘉倚)