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《半導體》三星擬放緩明年記憶體增產,有助降低DRAM跌價速度

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美中貿易戰導致市場不確定性大增,記憶體大廠三星傳出將調降明年DRAM及NAND Flash位元出貨量,若隨著產出減少,有助於明年跌價壓力趨緩,對台記憶體廠有利。

南亞科(2408)今年第四季起營運反轉下滑,但今年將賺逾一個股本,明年股利可期;周四,外資反手買超3256張,股價亦回穩。

據韓國外電,三星計畫2019年放慢明年記憶體增產速度,DRAM位元出貨量由原本預估的20%以上調降至低於20%,因限制產能增加,有助於降低DRAM跌價速度及幅度。

 另一大廠美光也在日前法說會中透露下修明年出貨目標計畫。美光指出因為智慧型手機出貨衰退,加上英特爾處理器缺貨影響PC出貨,2019年資本支出將由原先預期的105億美元下修至90億美元,美光也將明年DRAM位元出貨量目標由原本預估的20%下修至16%。

業界預期,隨著三星等大廠有意控制明年位元出貨量,DRAM價格可望在明年第2季逐步止跌,明年下半年價格應可回穩。南亞科雖明年獲利比今年下滑,但受惠20奈米成本效益,明年獲利預估仍有撐。另外,華邦電(2344)等記憶體廠明年營運獲利亦無虞。