logo

《科技》DRAM廠縮手,明年半導體資本支出估減12%

瀏覽數

9

全球研究機構IC Insights表示,隨著DRAM市場疲軟可能延續到明年上半年,三星(Samsung)等三大DRAM供應商的資本支出下滑,使得明年半導體資本支出可能趨緩,預計將比今年新高水準減少12%。

IC Insights預測今年半導體業的資本支出總額將增長15%至1071億美元,為首度突破1000億美元新高,但預計2019年半導體資本支出將下降12%。

IC Insights預期,三星(Samsung)今年資本支出可能比去年的242億美元減少,但將維持在226億美元高檔,還是會居全球半導體業之冠。三星近2年資本支出合計將高達468億美元。

IC Insights表示,三星2017年和2018年的大規模支出將在未來產生影響,已經開始的一個影響是3D NAND的產能過剩;除了三星大舉支出,SK海力士(Hynix)等競爭對手支出也相當積極。

IC Insights指出,SK海力士今年半導體資本支出可能增加58%,增加的支出將主要集中在韓國的3D NAND Flash廠與大陸無錫的DRAM廠。

有鑑於動態隨機存取記憶體(DRAM)市場疲軟,可能延續到明年上半年,三星、SK海力士與美光(Micron)三大DRAM供應商的資本支出,可能從2018年的454億美元,下滑到2019年的375億美元,減少17%。

IC Insights預期,明年整體半導體業資本支出可能較今年減少12%;其中,三星、英特爾(Intel)、海力士、台積電與美光5大廠明年資本支出將減少14%,其餘的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小,將減少約7%。