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《半導體》薄化市場續燒,昇陽半進補

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根據SEMI(國際半導體產業協會)最新報告,預測2017~2022年之間全球將興建16座功率及化合物半導體晶圓廠,每月投片量將衝上120萬片8吋約當晶圓規模。法人表示,金氧半場效電晶體(MOSFET)及絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等功率半導體市場明年續旺,氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等化合物半導體將是未來主流,IDM廠會把晶圓薄化製程大幅委外代工,昇陽半(8028)受惠最大。

 SEMI昨公布業界第一份聚焦功率暨化合物半導體領域的全球晶圓廠資料「功率及化合物晶半導體圓廠展望」(Power and Compound Fab Outlook),提供全面性前段半導體晶圓廠資訊,並預測從2017~2022年,全球將興建16個功率暨化合物半導體晶圓廠,整體產能將成長23%,每月投片量將達120萬片8吋約當晶圓。

 SEMI台灣區總裁曹世綸指出,隨高端消費性電子產品、無線通訊、電動車、綠能建設、資料中心,還有工業和消費性物聯網應用,對能源效率的標準愈趨嚴格,功率元件所扮演的重要性與日俱增。

 功率及化合物半導體市場正在快速成長。其中,MOSFET及IGBT等功率半導體今年以來供不應求且價格調漲,熱絡市況可望延續到明年。至於化合物半導體需求持續轉強,包括應用在功率放大器(PA)的砷化鎵(GaAs)技術應用持續擴大,新一代的GaN及SiC技術也開始進入市場。

 包括英飛凌、安森美等IDM廠仍主導功率及化合物半導體市場,但因IDM廠持續縮減8吋以下產能投資,並將前、中、後段製程委託不同業者代工,建立技術區隔確保智財權。因此主攻中段晶圓薄化製程的昇陽半受惠最大,第3季合併營收5.63億元,歸屬母公司稅後淨利0.65億元,每股淨利0.49元,優於市場預期。

 昇陽半在8吋晶圓薄化代工市場穩居龍頭地位,10月合併營收1.99億元,年增33.1%並創歷史新高,第4季營運樂觀。由於昇陽半技術上已可提供8吋晶圓薄化至50微米並進入量產,與一般晶圓薄化仍在80~100微米情況相較,技術明顯領先,且平均良率逾99.6%,因此受惠於IDM廠持續提高委外訂單量。

 昇陽半看準未來車電、工廠自動化設備、新能源對MOSFET及IGBT的需求,因此展開大規模的晶圓薄化擴產計畫,將由第2季的每月6萬片,年底前可望達每月8~10萬片,而明年則將擴大產能至10~13萬片。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)