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《科技》愛德萬測試攜日東北大,STT-MRAM實務應用獲突破

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半導體測試設備廠愛德萬測試(Advantest)宣布,與日本東北大學創新整合電子系統中心(CIES)合作,成功研發出可測量磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM)中切換電流的測量系統,為STT-MRAM的故障分析及技術實務應用的重要里程碑。

 愛德萬測試表示,本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持,為用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術,除應用於STT-MRAM系統外,也可用於如ReRAM、PCRAM電阻改變類的其他記憶系統上。

 STT-MRAM的記憶單元由磁隧結(MTJs)及晶體管組成,堆疊排列形成儲存器陣列,結合所有高速操作、低電壓操作及高重寫容差的特色,且不需搭配備用電源,全球各研究機構及公司目前均在進行STT-MRAM研發。

 不過,STT-MRAM的切換屬隨機現象,且電流非常弱、出現時間僅數奈米秒,即使測量設備可能量測在單一隧結處或單一記憶電池中的磁力切換,但對多重記憶單元中的儲存器陣列測量仍有困難。

 愛德萬測試及東北大學CIES攜手,合作研發出用於愛德萬測試系統的高精密度、高速電流測試模組,成功執行了實驗測量電阻內每分鐘的變化,以及在STT-MRAM切換操作過程中電流每奈米秒單位間的轉變次數。

 此項新科技除能應用在研發,用於大量生產、高效率及使用記憶測試系統的績效評估正確性都非常重要,此項研究成功,為高效率與高精密度STT-MRAM分析錯誤技術的發展樹立新里程碑,期望可以改善生產率,並提升STT-MRAM的實用性。