《科技》三星韓國華城廠跳電,業界評估影響有限

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根據外電報導,韓國三星電子旗下位於華城的晶圓廠區於2019年12月31日發生了短暫跳電事故,跳電時間約1分鐘,但仍影響了該廠區DRAM、NAND Flash、及採用極紫外光(EUV)技術的邏輯晶片生產。設備業者指出,晶圓廠都有電力備援系統,受到電壓急降的影響會比停電的影響來得大,但三星華城廠區的跳電時間很短,整體來看對記憶體市場影響十分有限。

 外電指出,三星電子位於韓國華城的晶圓廠區在2019年12月31日發生了短暫的跳電情況,使得華城廠區內的部分晶圓廠短暫停產。整個跳電的時間大約只有1分鐘,之後立即恢復供電。三星正在進行生產產線檢查,在了解受損程度之後,希望可以在最短時間內恢復生產。

 三星華城廠區是其半導體生產重鎮,包括了Line 12的DRAM生產線,Line 13的NAND Flash生產線,以及採用EUV生產的LSI系統晶片生產線等。外電指出,三星在華城廠區的DRAM及NAND Flash生產線製程較成熟,對整體位元出貨量的影響不會太大,但EUV技術生產的邏輯晶片屬先進製程,影響幅度會較大,但因為是生產三星自有晶片,所以也不會對市場造成太大影響。

 設備業者指出,晶圓廠的供電設計上都會有備援電力系統,三星華城廠區跳電傳出是受到外在因素干擾導致短停電,備援電力應會立即啟動,反而是停電時電壓急降造成的影響會較大。以正常情況來看,該廠區跳電對生產線造成的影響,大約要花2~3天時間調整才能全面回復正常運作,對記憶體市場的影響將十分有限。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)

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