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《產業》研調:AI、5G、車用射三箭,半導體明年重啟成長

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全球市場研究機構TrendForce針對2020年科技產業發展,整理十大科技趨勢,預計在AI、5G、車用三箭頭領軍,將帶動明年半導體產業逆勢成長。DRAM則將往EUV與下世代DDR5邁進。

TrendForce指出,2019年在中美貿易戰影響,全球半導體產業呈現衰退。展望2020年,儘管市場仍存在不確定性,但在5G、AI、車用等需求挹注下,將帶動半導體產業逐漸脫離谷底;並加速在7奈米EUV與5奈米的應用。

在製造方面,7奈米節點的採用率增加,5奈米量產及3奈米研發的時程更加明朗,先進製程製造的占比將進一步提升。此外,化合物半導體材料如SiC、GaN與GaAs等,具備耐高電壓、低阻抗與切換速度快等特性,適合用於功率半導體、射頻開關元件等領域,在5G、電動車等應用備受重視。

TrendForce預期,明年DRAM將往EUV與下世代DDR5/LPDDR5邁進,NAND突破100層疊堆技術。

TrendForce表示,現有DRAM面臨摩爾定律已達物理極限的挑戰,製程已來到1X/1Y/1Znm,進一步微縮不僅無法帶來大量的供給位元成長,反而成本降低的難度提升。DRAM廠目前在1Y與1Z奈米製程,將開始將單顆晶片顆粒的容量由現有主流8Gb提升至16Gb,使得高容量模組的滲透率逐漸升高,並且有機會在1Z奈米開始導入EUV機台,逐漸取代現有的double patterning技術。以DRAM的世代轉換來說,DDR5與LPDDR5將在2020年問世,進行導入與樣本驗證,相較於現有的DDR4/LPDDR4X來說,將會更省電、速度更快。

NAND Flash市場將首次挑戰突破100層的疊堆技術,並將單一晶片容量從512Gb提升至1Tb門檻。主要為因應5G、AI、邊緣運算等持續發展,除了智慧型手機、伺服器/資料中心需要更大的儲存容量外,更要求單一儲存裝置的體積進一步微縮。

除了NAND Flash晶片的進化,智慧型手機上儲存介面也會從現有UFS 2.1規格,升級至更快速的UFS 3.X版本。在伺服器/資料中心方面,SSD產品也會導入比PCIe G3速度與效能快一倍的PCIe G4介面。兩樣新產品明年將鎖定高階市場。