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《科技》英特爾推記憶體及儲存創新,促資料核心技術發展

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英特爾(Intel)日前在南韓首爾舉行的全球意見領袖聚會中,強調在以資料為中心的運算時代中,將持續推動投資記憶體和儲存發展,包括透過提供Intel Optane技術和Intel 3D NAND解決方案,以便客戶開發雲端、AI和網路邊緣裝置。

 在此次活動中,英特爾宣布將在美國新墨西哥州Rio Rancho廠拓展全新Intel Optane 技術研發生產線,並宣布代號為「Barlow Pass」的第2代Intel Optane DC持續性記憶體(Persistent Memory)搭載新一代Intel Xeon可擴充處理器,預計將於2020年推出。

 同時,英特爾為專用於資料中心的固態硬碟(SSD)推出領先業界的144層四階儲存單元(QLC)NAND快閃記憶體,為重要企業客戶展示新一代Intel Optane技術單連結埠固態硬碟,相關產品預計將於2020年上市。

 英特爾表示,機器產生的大量資料需透過即時分析才能賦予價值,突顯DRAM容量不足、SSD不夠快等記憶體儲存層級結構產生的缺口,這些缺口可透過Intel Optane DC持續性記憶體填補,更大量的資料集(data set)也可透過儲存介面連接的Intel Optane技術填補缺口。

 此外,硬碟速度越來越不能滿足以資料為中心的運算環境,Intel Optane技術與QLC NAND組合可改善此狀況。整體而言,Intel Optane是材質、架構、與效能兼具的特殊組合,現有的記憶體與儲存技術無法相比。

 英特爾資深副總裁Rob Crooke表示,資料產生的速度越來越快,使企業對於如何有效處理資料越來越無所適從,勝出的主要區別在於誰能從資料中獲取價值。這些任務將需要在記憶體和儲存層級結構進行先進創新,是英特爾目前推動的工作。

 英特爾表示,公司提出的記憶體和儲存解決方案正在協助微軟等眾多客戶,微軟目前正對其戶端作業系統進行重大更新,以支援Intel Optane持續性記憶體提供的快速啟動、遊戲讀取等新功能與特色。