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《科技》極紫外光微影技術引爆強勁需求,家登EUV Pod訂單滿到明年

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極紫外光(EUV)已確定是次世代微影技術主流,隨著DRAM廠開始在16奈米及更先進製程、晶圓代工廠及IDM廠在7奈米及更先進邏輯製程等開始導入EUV技術,引爆極紫外光光罩盒(EUV Pod)強勁需求。由於半導體廠接單中只要多1層EUV光罩層需求,就要對應增加約240~260顆EUV Pod採購量,家登(3680)成為最大受惠者,現有產能滿載供不應求,訂單也已經排滿到明年上半年。

 根據設備大廠艾司摩爾(ASML)統計,自2011年開始生產採用EUV微影技術晶圓以來,至2018年第二季末為止,累計採用EUV曝光的晶圓數高達320萬片,其中光是2018年的前6個月,累計晶圓就達100萬片左右。隨著台積電及三星晶圓代工開始量產支援EUV的7奈米,英特爾將在2021年後量產採用EUV製程7奈米,以及三星及SK海力士著手興建支援EUV的DRAM生產線,EUV市場已進入成長爆發階段。

 今年EUV設備能提供的晶圓吞吐量已開始符合半導體廠量產需求,而根據ASML的預估,月產能達4.5萬片的7奈米或5奈米12吋晶圓廠,每增加1層EUV光罩層需求就要搭配1台EUV機台系統支援;而月產能達10萬片的16奈米至1A奈米DRAM廠,每增加1層EUV光罩層需求就需搭配1.5~2台的EUV機台系統支援。

 業者分析,若月產能達4.5萬片的7奈米12吋廠所生產的處理器或繪圖晶片,EUV光罩層數加總起來若達20層,生產線上就得搭配安裝20台EUV機台系統。此外,目前7奈米單一晶片平均採用的EUV光罩層數約3~5層,但微縮至5奈米製程後的EUV光罩層數將大舉提升至14~16層,若再進一步微縮至3奈米製程,EUV光罩層數可能會高達24層以上。

 隨著EUV光罩層數的快速增加,生產鏈已經全面動了起來,由於每增加1層EUV光罩層,就要對應增加約240~260顆EUV Pod採購量,但EUV Pod使用年限最多只有2年。所以,隨著EUV光罩層數持續提高,投入EUV量產的半導體大廠均擴大釋出EUV Pod採購訂單,家登成為最大受惠者,現有產能到年底已滿載供不應求,訂單也排滿到明年上半年。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)