《半導體》茂矽轉型有成,暌違11年首度配息

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晶圓代工廠茂矽(2342)13日召開股東常會,通過每普通股配發0.27元現金股利,這是茂矽暌違11年再度配發股利,顯示近幾年轉型為功率半導體晶圓代工廠的策略已見成效。茂矽今年搶進中壓金氧半場效電晶體(MOSFET)代工市場,強攻車用二極體及絕緣閘雙極電晶體(IGBT)晶圓代工,下半年旺季效應可期。

 茂矽經過2017年減資及打掉太陽能電池相關事業虧損後,2018年專注於功率半導體晶圓代工市場並繳出亮麗成績單,合併營收年增13.2%達18.52億元,稅後淨利1.83億元,每股淨利1.54元。而茂矽去年辦理現金增資發行新股,順利募得8.61億元資金,用於購置機器設備及償還銀行借款,適時挹注未來持續成長所需動能以保持競爭力。

 茂矽過去11年因為營運多為虧損,加上有累虧需要彌補,所以都沒有發放股利,而茂矽因前年減資及去年增資之後,財務體質已大幅好轉,所以由去年盈餘發放0.27元現金股利,茂矽股東等於在睽違11年後再度能參與股利配發。

 茂矽董事長唐亦仙表示,茂矽長期聚焦功率半導體及相應的電源管理IC相關製程研發,在功率MOSFET製程開發方面,針對既有利基型低功MOSFET除不斷提升現有客戶產品品質,更進而以打入國際大廠及車用市場為目標,以獲得更高附加價值及高利潤訂單。茂矽在高效能MOSFET製程產品開發,100~150V中壓分離閘式MOSFET開始進入量產,今年可帶動一定成長動能。

 茂矽為強化競爭力,針對現有蕭特基二極體(Schottky Diodes)製程進行特性優化,並與特定客戶合作開發車用二極體相關技術,以滿足未來車用市場規格要求。

 茂矽持續投入資源在IGBT相關自有產品開發,目前已產出實測樣品並送客戶驗證,今年會持續投資IGBT關鍵製程設備及研發最新製程技術,並持續驗證與優化產品線,以期未來加入量產行列並為成主要成長動能之一。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)

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