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《科技》台積電發表eMRAM研究成果,領先同業

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晶圓代工龍頭台積電在先進晶圓製程及封裝技術研發再度領先同業,將在日本舉辦的2019年VLSI技術及電路研討會(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)發表新興記憶體、二維材料、以及系統整合技術之研究論文。會中邀請台積電發表專篇論文闡述嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(eMRAM)的研究現況,展現了台積電自先進邏輯電晶體使用的創新材料、特殊製程技術組合中的新興高效能嵌入式記憶體的技術。

 

 台積電技術研究副總經理黃漢森表示,VLSI研討會不僅特別亮點展示台積電的論文,還邀請台積電闡述研究的成果,對此台積電感到無比的榮幸。這些論文來自傑出且經驗豐富的研究人員,以及年輕優秀工程師的心血結晶,台積電向來秉持技術領先的承諾,有信心未來將持續提供優異的技術,協助客戶釋放創新。

 台積電受邀發表以「嵌入式磁阻式隨機存取記憶體技術近期進展與未來方向」為題論文,闡述一項有望取代即將面臨微縮極限的嵌入式快閃記憶體的技術,亦即非揮發性eMRAM。本論文陳述了具備銲錫迴焊(Solder Reflow)能力的22奈米eMRAM的研究成果,此項技術能夠在封裝過程中承受銲錫高溫,而且製造過程中預存的記憶體資料並不會在高溫封裝過程中流失。

 相較於28奈米嵌入式快閃記憶體,具備銲錫迴焊能力的22奈米eMRAM大幅減少所需增加的光罩層,其寫入資料速度與可靠度亦高度提升,相當適合應用於重視保留預存資料的產品,例如穿戴式及物聯網裝置。本論文亦提出,若不需具備銲錫迴焊能力,有機會可更大幅降低eMRAM寫入資料功耗及讀取時間,而且仍能維持其非揮發性,呈現非揮發性的隨機存取記憶體的特性,諸多應用例如低耗電機器學習推論處理器皆能夠受惠於上述特性。

 同時,台積電亦對高通發表的論文「7奈米行動系統單晶片、5G平台技術及設計共同開發支援PPA與可製造性」做出貢獻,闡述高通Snapdragon 855行動系統單晶片及採用7奈米FinFET(鰭式場效電晶體)技術的全球第一個商用5G平台。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/台北報導)